Основу пзу составляют микросхемы памяти. Подключение внешних микросхем озу и пзу в схемах на микроконтроллере. Постоянные запоминающие устройства

ется процессоров RISC, то они близки к тому, чтобы выполнять по одной команде в каждом такте.

Также с упрощением ЦП уменьшается число транзисторов, необходимых для его реализации, следовательно, уменьшается площадь кристалла. А с этим связано снижение стоимости и потребляемой мощности.

Следует также иметь в виду, что благодаря своей простоте процессоры RISC не патентуются. Это также способствует их быстрой разработке и широкому производству. Между тем, в сокращенный набор RISC вошли только наиболее часто используемые команды. Ряд редко встречающихся команд процессора CISC выполняется последовательностями команд процессора RISC.

Позже появилась концепция процессоров MISC, использующая минимальный набор длинных команд. Вслед за ними возникли процессоры VLIW, работающие со сверхдлинными командами. Быстродействие процессоров определяется в миллионах операций в секунду MIPS .

Память в микропроцессорных устройствах

В микропроцессорных устройствах память служит для хранения исходных данных программ обработки информации промежуточных и окончательных результатов вычисления.

Выделяют два основных типа памяти:

∙ОЗУ - оперативное запоминающее устройство, используемое для хранения данных, поэтому эту память называют еще памятью данных. Число циклов чтения и записи в ОЗУ не ограничено, но при отключении питающего напряжения вся информация теряется;

В современных микропроцессорах память ОЗУ представляет собой многоуровневую систему, в которой выделяют уровни сверхоперативной памяти (СОЗУ), ОЗУ, буферной памяти (БЗУ) и внешней памяти (ВЗУ).

Каждый последующий уровень отличается от предыдущего емкостью и быстродействием.

Емкостью называется максимальное количество информации, которая может быть записана в память.

Быстродействие характеризуется длительностью операций чтения и записи - двух основных операций, выполняемых памятью.

Для указанных уровней памяти емкость растет в направлении от СОЗУ к ВЗУ, а быстродействие в противоположном направлении.

∙ПЗУ - постоянное запоминающее устройство, предназначенное для хранения программ, поэтому часто эту память называют кодовой или памятью программ. Микросхемы ПЗУ способны сохранять информацию при отключенном электропитании, но могут быть запрограммированы только один или очень ограниченное число раз.

Основные характеристики полупроводниковой памяти

Основные характеристики памяти, которые необходимо учитывать при проектировании систем:

∙Емкость памяти определяется числом бит хранимой информации. Емкость кристалла обычно выражается также в битах. Важной характеристикой кристалла является информационная организация кристалла памяти MxN, где M - число слов, N - разрядность слова. При одинаковом времени обращения память с большей шириной выборки обладает большей информационной емкостью.

∙Временные характеристики памяти.

1.1 Время доступа - временной интервал, определяемый от момента, когда центральный процессор выставил на шину адреса адрес требуемой ячейки памяти и послал по шине управления приказ на чтение или запись данных, до момента осуществления связи адресуемой ячейки с шиной данных.

o Время восстановления - это время, необходимое для приведения памяти в исходное состояние после того, как ЦП снял с ША адрес, с ШУ сигнал «чтение» или «запись» и с ШД данные.

∙Удельная стоимость запоминающего устройства определяется отношением его стоимости к информационной емкости, т.е. определяется стоимостью бита хранимой информации.

∙Потребляемая энергия (или рассеиваемая мощность) приводится для двух режимов работы кристалла: режима пассивного хранения информации и активного режима, когда операции записи и считывания выполняются с номинальным быстродействием.

∙Плотность упаковки определяется площадью запоминающего элемента и зависит от числа транзисторов в схеме элемента и используемой технологии. Наибольшая плотность упаковки достигнута в кристаллах динамической памяти.

∙Допустимая температура окружающей среды обычно указывается отдельно для активной работы, для пассивного хранения информации и для нерабочего состояния с отключенным питанием. Указывается тип корпуса, если он стандартный, или чертеж корпуса с указанием всех размеров, маркировкой и нумерацией контактов, если корпус новый. Приводятся также условия эксплуатации: рабочее положение, механические воздействия, допустимая влажность и другие

Типы микросхем постоянных запоминающих устройств (ПЗУ)

Существуют следующие основные типы ПЗУ:

∙масочные ПЗУ - они программируются в процессе их изготовления путем нанесения маски из замкнутых (высокий уровень) и разомкнутых перемычек (низкий уровень), этот тип ПЗУ наиболее дешев, но при изготовлении крупной партией;

∙ПЗУ с плавкими перемычками или электрически программируемые (ЭПЗУ ) - эти микросхемы программируются потребителем путем пропускания импульсов тока до разрушения перемычек, соответствующих битам, которые должны стать нулевыми;

∙перепрограммируемые ПЗУ с электрической записью информации и стиранием ультрафиолетовым излучением (УФППЗУ ) - основа ячейки памяти микросхемы данного типа - МОП-транзистор с полностью изолированным «плавающим» затвором, при программировании окисел пробивается и на затворе накапливается заряд, который сохраняется там пока микросхема не будет подвергнута УФ-облучению, под его действием окисел становится проводящим; сопротивление канала транзистора зависит от заряда на затворе и будет определять бит, записанный в ячейку;

∙электрически стираемые ПЗУ(ЕЕPRОМ ) устроены аналогично УФППЗУ, но стирание происходит, как и запись, при подаче импульсов напряжения; это самый дорогой, но и самый удобный тип ПЗУ.

∙FLASH-память - наиболее популярная в настоящее время. Ее главное достоинство в том, что она построена по принципу электрической перепрограммируемости, т. е. допускает многократное стирание и запись информации с помощью программаторов. Минимальное гарантированное число циклов записи/стирания обычно превышает несколько тысяч. Это существенно увеличивает жизненный цикл и повышает гибкость микропроцессорных систем, так как позволяет вносить изменения в программу микропроцессора, как на этапе разработки системы, так и в процессе его работы в реальном устройстве.

Типы микросхем ОЗУ

Существует два типа микросхем ОЗУ:

∙статические ОЗУ, в которых основой запоминающей ячейки служит триггер;

Все виды памяти, которые мы рассматривали до сих пор, имеют одно общее свой­ство: в них можно и записывать информацию, и считывать ее. Такая память назы­вается ОЗУ (оперативное запоминающее устройство). Существует два типа ОЗУ: статическое и динамическое. Статическое ОЗУ конструируется с использовани­ем D-триггеров. Информация в ОЗУ сохраняется на протяжении всего времени, пока к нему подается питание: секунды, минуты, часы и даже дни. Статическое ОЗУ работает очень быстро. Обычно время доступа составляет несколько нано­секунд. По этой причине статическое ОЗУ часто используется в качестве кэш-па­мяти второго уровня.

В динамическом ОЗУ, напротив, триггеры не используются. Динамическое ОЗУ представляет собой массив ячеек, каждая из которых содержит транзистор и крошечный конденсатор. Конденсаторы могут быть заряженными и разряженны­ми, что позволяет хранить нули и единицы. Поскольку электрический заряд имеет тенденцию исчезать, каждый бит в динамическом ОЗУ должен обновляться (пе­резаряжаться) каждые несколько миллисекунд, чтобы предотвратить утечку дан­ных. Поскольку об обновлении должна заботиться внешняя логика, динамическое ОЗУ требует более сложного сопряжения, чем статическое, хотя этот недостаток компенсируется большим объемом.

Поскольку динамическому ОЗУ нужен только 1 транзистор и 1 конденсатор на бит (статическому ОЗУ требуется в лучшем случае б транзисторов на бит), дина­мическое ОЗУ имеет очень высокую плотность записи (много битов на одну микро­схему). По этой причине основная память почти всегда строится на основе динами­ческих ОЗУ. Однако динамические ОЗУ работают очень медленно (время доступа занимает десятки наносекунд). Таким образом, сочетание кэш-памяти на основе статического ОЗУ и основной памяти на основе динамического ОЗУ соединяет в себе преимущества обоих устройств.

Существует несколько типов динамических ОЗУ. Самый древний тип, кото­рый все еще используется, - FPM (Fast Page Mode - быстрый постраничный

Память 175

режим)-. Это ОЗУ представляет собой матрицу битов. Аппаратное обеспечение представляет адрес строки, а затем - адреса столбцов (мы описывали этот процесс, когда говорили об устройстве памяти, показанном на рис. 3.30, 6).

FPM постепенно замещается EDO 1 (Extended Data Output - память с расши­ренными возможностями вывода), которая позволяет обращаться к памяти еще до того, как закончилось предыдущее обращение. Такой конвейерный режим не ускоряет доступ к памяти, но зато увеличивает пропускную способность, выдавая больше слов в секунду.

И FPM, и EDO являются асинхронными. В отличие от них так называемое син­хронное динамическое ОЗУ управляется одним синхронизирующим сигналом. Данное устройство представляет собой гибрид статического и динамического ОЗУ. Синхронное динамическое ОЗУ часто используется при производстве кэш-памя­ти большого объема. Возможно, данная технология в будущем станет наиболее предпочтительной и в изготовлении основной памяти.

ОЗУ - не единственный тип микросхем памяти. Во многих случаях данные должны сохраняться, даже если питание отключено (например, если речь идет об игрушках, различных приборах и машинах). Более того, после установки ни про­граммы, ни данные не должны изменяться. Эти требования привели к появлению ПЗУ (постоянных запоминающих устройств), которые не позволяют изменять и стирать хранящуюся в них информацию (ни умышленно, ни случайно). Данные записываются в ПЗУ в процессе производства. Для этого изготавливается трафарет с определенным набором битов, который накладывается на фоточувствительный материал, а затем открытые (или закрытые) части поверхности вытравливаются. Единственный способ изменить программу в ПЗУ - поменять целую микросхему.

ПЗУ стоят гораздо дешевле ОЗУ, если заказывать их большими партиями, что­бы оплатить расходы на изготовление трафарета. Однако они не допускают измене­ний после выпуска с производства, а между подачей заказа на ПЗУ и его выполне­нием может пройти несколько недель. Чтобы компаниям было проще разрабатывать новые устройства, основанные на ПЗУ, были выпущены программируемые ПЗУ. В отличие от обычных ПЗУ, их можно программировать в условиях эксплуата­ции, что позволяет сократить время выполнения заказа. Многие программируе­мые ПЗУ содержат массив крошечных плавких перемычек. Можно пережечь определенную перемычку, если выбрать нужную строку и нужный столбец, а затем приложить высокое напряжение к определенному выводу микросхемы.

Следующая разработка этой линии - стираемое программируемое ПЗУ, ко­торое можно не только программировать в условиях эксплуатации, но и стирать с него информацию. Если кварцевое окно в данном ПЗУ подвергать воздействию сильного ультрафиолетового света в течение 15 минут, все биты установятся на 1. Если нужно сделать много изменений во время одного этапа проектирования, сти­раемые ПЗУ гораздо экономичнее, чем обычные программируемые ПЗУ, поскольку их можно использовать многократно. Стираемые программируемые ПЗУ обычно устроены так же, как статические ОЗУ. Например, микросхема 27С040 имеет структуру, которая показана на рис. 3.30, а, а такая структура типична для стати­ческого ОЗУ.

Динамическая намять типа EDO вытеснила обычную динамическую память, работающую н режиме FPM, в середине 90-х годов. - Примеч. научи, ред.

Следующий этап - электронно-перепрограммируемое ПЗУ, с которого мож­но стирать информацию, прилагая к нему импульсы, и которое не нужно для этого помещать в специальную камеру, чтобы подвергнуть воздействию ультрафиоле­товых лучей. Кроме того, чтобы перепрограммировать данное устройство, его не нужно вставлять в специальный аппарат для программирования, в отличие от сти­раемого программируемого ПЗУ. Но с другой стороны, самые большие электрон­но-перепрограммируемые ПЗУ в 64 раза меньше обычных стираемых ПЗУ, и ра­ботают они в два раза медленнее. Электронно-перепрограммируемые ПЗУ не могут конкурировать с динамическими и статическими ОЗУ, поскольку они работают в 10 раз медленнее, их емкость в 100 раз меньше и они стоят гораздо дороже. Они используются только в тех ситуациях, когда необходимо сохранение информации при выключении питания.

Более современный тип электронно-перепрограммируемого ПЗУ - флэш-па­мять. В отличие от стираемого ПЗУ, которое стирается под воздействием ультра­фиолетовых лучей, и от электронно-программируемого ПЗУ, которое стирается по байтам, флэш-память стирается и записывается блоками. Как и любое элект­ронно-перепрограммируемое ПЗУ, флэш-память можно стирать, не вынимая ее из микросхемы. Многие изготовители производят небольшие печатные платы, со­держащие десятки мегабайтов флэш-памяти. Они используются для хранения изоб­ражений в цифровых камерах и для других целей. Возможно, когда-нибудь флэш-память вытеснит диски, что будет грандиозным шагом вперед, учитывая время доступа в 100 не. Основной технической проблемой в данный момент является то, что флэш-память изнашивается после 10 000 стираний, а диски могут служить го­дами независимо от того, сколько раз они перезаписывались. Краткое описание различных типов памяти дано в табл. 3.2.

Таблица 3.2. Характеристики различных видов памяти

Тип запо-	Категория	Стирание	Изменение	Энерго-	Применение
минающего		записи	информации	зависи-
устройства			по байтам	мость
Статическое	Чтение/	Электрическое	Да	Да	Кэш-память
ОЗУ (SRAM)	запись				второго уровня
Динамическое	Чтение/	Электрическое	Да	Да	Основная память
ОЗУ (DRAM)	запись
ПЗУ(ЯОМ)	Только	Невозможно	Нет	Нет	Устройства
	чтение				большого размера
Програм-	Только	Невозможно	Нет	Нет	Устройства
мируемое	чтение				небольшого
ПЗУ (PROM)					размера
Стираемое	Преиму-	Ультра-	Нет	Нет	Моделирование
програм-	щественно	фиолетовый			устройств
мируемое	чтение	свет
ПЗУ(ЕРРЮМ)
Электронно-	Преиму-	Электрическое	Да	Нет	Моделирование
перепрограм-	щественно				устройств
мируемое ПЗУ	чтение
(EEPROM)
флэш-память	Чтение/	Электрическое	Нет	Нет	Цифровые камеры
(Flash)	запись

Микросхемы процессоров и шины 177

Микросхемы процессоров и шины

Поскольку нам уже известна некоторая информация о МИС, СИС и микросхе­мах памяти, то мы можем сложить все составные части вместе и изучать целые системы. В этом разделе сначала мы рассмотрим процессоры на цифровом ло­гическом уровне, включая цоколевку (то есть значение сигналов на различных выводах). Поскольку центральные процессоры тесно связаны с шинами, которые они используют, мы также кратко изложим основные принципы разработки шин. Б следующих разделах мы подробно опишем примеры центральных процессоров и шин для них.

Микросхемы процессоров

Все современные процессоры помещаются на одной микросхеме. Это делает впол­не определенным их взаимодействие с остальными частями системы. Каждая мик­росхема процессора содержит набор выводов, через которые происходит обмен информацией с внешним миром. Одни выводы передают сигналы от централь­ного процессора, другие принимают сигналы от других компонентов, третьи дела­ют и то и другое. Изучив функции всех выводов, мы сможем узнать, как процессор взаимодействует с памятью и устройствами ввода-вывода на цифровом логичес­ком уровне.

Выводы микросхемы центрального процессора можно подразделить на три типа: адресные, информационные и управляющие. Эти выводы связаны с соответству­ющими выводами на микросхемах памяти и микросхемах устройств ввода-вывода через набор параллельных проводов (так называемую шину). Чтобы вызвать ко­манду, центральный процессор сначала посылает в память адрес этой команды по адресным выводам. Затем он запускает одну или несколько линий управления, чтобы сообщить памяти, что ему нужно, например, прочитать слово. Память выда­ет ответ, помещая требуемое слово на информационные выводы процессора и по­сылая сигнал о том, что это сделано. Когда центральный процессор получает дан­ный сигнал, он принимает слово и выполняет вызванную команду. ■ Команда может требовать чтения или записи слов, содержащих данные. В этом случае весь процесс повторяется для каждого дополнительного слова. Как проис­ходит процесс чтения и записи, мы подробно рассмотрим ниже. Важно понимать, что центральный процессор обменивается информацией с памятью и устройства­ми ввода-вывода, подавая сигналы на выводы и принимая сигналы на входы. Дру­гого способа обмена информацией не существует.

Число адресных выводов и число информационных выводов - два ключевых параметра, которые определяют производительность процессора. Микросхема, содержащая m адресных выводов, может обращаться к 2 т ячейкам памяти. Обыч­но m равно 16, 20, 32 или 64. Микросхема, содержащая п информационных выво­дов, может считывать или записывать n-битное слово за одну операцию. Обычно п равно 8, 16, 32, 36 или 64. Центральному процессору с 8 информационными выво­дами понадобится 4 операции, чтобы считать 32-битное слово, тогда как процес­сор, имеющий 32 информационных вывода, может сделать ту же работу в одну

Глава 3. Цифровой логический уровень

операцию. Следовательно, микросхема с 32 информационными выводами работа­ет гораздо быстрее, но и стоит гораздо дороже.

Кроме адресных и информационных выводов каждый процессор содержит вы­воды управления. Выводы управления регулируют и синхронизируют поток дан­ных к процессору и от него, а также выполняют другие разнообразные функции. Все процессоры содержат выводы для питания (обычно +3,3 В или +5 В), «земли» и синхронизирующего сигнала (меандра). Остальные выводы разнятся от процес­сора к процессору. Тем не менее выводы управления можно разделить на несколь­ко основных категорий:

1. Управление шиной.

2. Прерывание.

3. Арбитраж шины.

4. Состояние.

5. Разное.

Ниже мы кратко опишем каждую из этих категорий. Когда мы будем рассмат­ривать микросхемы Pentium II, UltraSPARC II и picojava II, мы дадим более по­дробную информацию. Схема типичного центрального процессора, в котором ис­пользуются эти типы сигналов, изображена на рис. 3.31.

В микропроцессорных системах используется два вида запоминающих устройств (ЗУ): оперативные (ОЗУ) и постоянные (ПЗУ). В ОЗУ основной режим работы - это запись и считывание информации. Информация все время обновляется, хранится не долго и при выключении аппаратуры теряется. В ПЗУ основной режим работы - только считывание информации. Запись происходит при изготовлении микросхемы или при установке ее в аппаратуру.

Различают разновидности ПЗУ: программируемые (ППЗУ) и репрограммируемые (РПЗУ). Программируемые ПЗУ позволяют пользователю самостоятельно при помощи специальных приспособлений однократно записать информацию в микросхему. Такая запись программ производится обычно после их проверки и отладки. Изменить информацию после ее занесения в микросхему невозможно.

Репрограммируемые ПЗУ позволяют многократно стирать и заново заносить информацию. При этом может использоваться электрическое (ЭРПЗУ) или ультрафиолетовое стирание (РПЗУ - УФ).

В зависимости от способа организации памяти различают статические и динамические ЗУ. Статические ЗУ образованы на основе триггерных ячеек. Динамические ЗУ допускают изменение или передвижение данных при хранении, например, запоминание на конденсаторах, требующее периодического восстановления заряда. Динамические ЗУ не позволяют производить считывание в произвольный момент времени, но они обладают очень высокой плотностью записи информации и малым потреблением электроэнергии.

Для изготовления микросхем памяти используется ТТЛ и МОП технология и их разновидности.

На логических схемах ОЗУ обозначается RAM (динамическое ОЗУ-RAM) - Random Acces Memory - память с произвольной выборкой.

ПЗУ обозначается ROM (ППЗУ – PROM, РПЗУ – RPROM) - Read Only Memory - память только со считыванием.

Статические ОЗУ . Промышленностью выпускается большое количество различных микросхем оперативной памяти в различных сериях интегральных схем: К500, К1500, К537, К541, К565.

В качестве примера рассмотрим широко используемую в качестве статического ОЗУ микросхему К537РУЗ - рис.6.6. Она выполнена по КМОП технологии, но по уровню сигналов стыкуется с микросхемами ТТЛ типа. Объем памяти составляет 4К, т.е. 4096 триггерных ячеек. Время выборки не превышает 0,1 мкс, а время восстановления - 70 нс.

Внутри микросхема содержит матрицу 64 х 64 запоминающих элементов, дешифраторы адреса строк и столбцов, усилители записи и считывания, схему управления. Обозначения входов микросхемы:

А 12-разрядный адрес ячейки памяти;

DO output - выход данных;

DI input-вход данных;

CS выбор микросхемы;

WE установка режима «запись - считывание».

Символ на правом обрезе условного обозначения микросхемы обозначает, что выход имеет третье высокоимпендансное состояние Z . Режим работы микросхемы в зависимости от состояния управляющих сигналов иллюстрируется следующей таблицей:

CS	WE	Di	DO	Режим
		Di	Z	Запись
		*	DO	Чтение
	*	*	Z	Хранение

Символ ◊ обозначает произвольное состояние входа.

Объединяя несколько таких микросхем, можно построить многоразрядное ЗУ на 64К слов.

Динамические ОЗУ содержатся в микросхемах серии К565. Емкость их составляет до 64К. Регенерация происходит через каждые 2 мс. Микросхема имеет 4 режима работы: запись, считывание, хранение, регенерация. Регенерация производится путем обращения к каждой ячейке памяти по сигналу RAS. Естественно, в то время, когда происходит регенерация, запись и считывание информации производить нельзя.

Постоянные ЗУ служат для хранения программ и другой постоянной информации. Микросхемы этого типа сохраняют информацию при выключении напряжения питания. Строятся на базе матрицы запоминающих элементов ТТЛ или МОП структуры. Запись информации в матрицу происходит одноразово при помощи специально изготавливаемого фотошаблона путем металлизации промежутков между элементами. Такой фотошаблон значительно дороже самой микросхемы и изготавливается при заказе большой партии микросхем. Микросхемы ПЗУ входят в состав серий интегральных схем: К500, К541, К568. К596, К1610. На рнс.6.10 приведена схема ПЗУ К568РЕЗ. В микросхеме может быть записана информация объемом 2 14 байт. Считывание нужного байта производится заданием кода адреса и сигнала CS выбора микросхемы.

Программируемые ПЗУ позволяют, задать состояние ячеек памяти не на заводе-изготовителе микросхем, а самим разработчиком микропроцессорной системы. Программирование микросхем ППЗУ происходит путем пережигания плавких вставок в цепях ячеек памяти от внешнего источника с помощью специального устройства - программатора. Такие ПЗУ входят в состав следующих серий микросхем: К500, К556, К537, К541.

Электрические репрограммируемые ПЗУ позволяют осуществить многократное программирование при сохранении памяти при отключении питания. Память сохраняется за счет сохранения заряда в МОП структуре. Длительность хранения информации в нормальных условиях эксплуатации составляет годы.

Количество циклов перепрограммирования может достигать 10 4 . При этом можно стереть или сменить всю информацию или только выборочно. Микросхемы ЭР ПЗУ входят в состав ряда серий интегральных схем: К505, К558,К1601.

РПЗУ с ультрафиолетовым стиранием наиболее распространены. В них снятие заряда с МОП структуры ячейки памяти происходит при ультрафиолетовом облучении кристалла через окошко в корпусе микросхемы. Облучение производят специальной ультрафиолетовой лампой в течение 30 минут.

Примером РПЗУ-УФ может служить микросхема К573РФ. Число циклов перепрограммирования этой микросхемы не менее 25, а время сохранения информации без электропитания не менее 25 × 10 3 часов.

Микросхемы этого типа требуют защиты от случайного воздействия световых потоков во время эксплуатации.

ЛИТЕРАТУРА

1. Забродин Ю.С. Промышленная электроника. - М.: Высшая школа, 1982

2. Исаков Ю.Л. и Др. Основы промышленной электроники. Библиотека инженера. - К.: Техника, 1976.

3. Горбачев В.Н., Чаплыгин Е.Е. Промышленная электроника. - М.: Высшая школа, 1988.

4. Криютафович А. К., Трнфонюк В.В. Основы промышленной электроники. - М.: Высшая школа, 1985.

5. Руденко B.C., Сенько В.И., Трифонюк В.Р. Основы промышленной электроники. - К.: Высшая школа, 1985.

6. Шило В.Л. Популярные цифровые микросхемы. - М.: Радио и связь, 1988.

7. Краснопрошнна А.А., Скаржепа В.А., Кравец П.И. Электроника и микросхемотехника. - К.: Вища школа, 1989.

8. Применение интегральных микросхем. Под ред.А.Уильямса. Перевод с англ. - М.: Мир. 19?".

9. Щербаков В.И., Грездов Г.И. Электронные схемы на операционных усилителях. - К.: Техника, 1983.

10. Гранитов В.И. Физика полупроводников и полупроводниковые приборы. - М.: Советское радио, 1977.

11. Самофалов К.Г., Викторов О.В., Кузняк А.К. Микропроцессоры. Библиотека

инженера.-К.: Техника, 1986.

12.МирскиП Г.Я, Микропроцессоры в измерительных приборах. - М.: Радио и связь. 1984.

13. Вершинин О.Е. Применение микропроцессоров для автоматизации технологических процессов. - Л.: Энергоатомнздат, 1986.

Постоянное запоминающее устройство (ПЗУ, ROM), которое еще называют встроенной программой, представляет собой интегральную микросхему, при изготовлении запрограммированную определенными данными. ПЗУ используются не только в компьютерах, но и в большинстве других электронных устройств.

Прежде чем говорить о конкретных типах современных микросхем памяти, надо немного вспомнить прошлое и разобраться в основных принципах работы электронной памяти и особенностях ее адресации.

Компьютеры, в отличие от людей, которые пользуются десятичной системой счисления, используют двоичную арифметику, т. е. в любом разряде машинного числа может находиться либо "0" -- нет, либо "1" -- да. Соответственно, и каждая ячейка электронной памяти компьютера должна запоминать одно из двух значений -- 0 или 1. Самое простое запоминающее устройство -- это набор тумблеров или реле, которые замыкают или размыкают электрическую цепь. Если вспомнить, то старинные вычислительные машины как раз использовали для оперативной памяти реле, а в качестве ПЗУ применялись обычные тумблеры (и это не удивительно, т. к. даже мини-ЭВМ 80-х годов прошлого века имели панель с набором тумблеров для ввода команд).

Развитие полупроводниковых технологий привело к тому, что для электронной памяти персонального компьютера в большинстве случаев используются кремниевые интегральные микросхемы. А минимальная ячейка памяти в микросхеме -- это триггер, который в самом простейшем случае собирается на двух транзисторах. Но поскольку для управления триггером требуются цепи управления, то элементарная запоминающая ячейка современной статической памяти, которая применяется, в частности, для кэш-памяти, содержит иногда до десятка транзисторов. Для примера на рис. 12 показана схема ячейки памяти КМОП-микросхемы. В ней из шести КМОП-транзисторов только транзисторы V3 и V5 отвечают за хранение информации, а остальные используются по другому назначению.

Так как в современном компьютере применяются микросхемы, содержащие сотни тысяч ячеек, то для упрощения управления запоминающие ячейки группируются в квадратные матрицы. Для обращения к конкретной ячейке памяти используется адрес, формируемый из номера строки и столбца (рис. 13). Как только на шинах столбцов и строк будет установлен правильный адрес нужной ячейки, на выходе матрицы появится напряжение, соответствующее информации, записанной в ячейку памяти. Заметим, что такой принцип адресации используется и для чтения или записи байта в оперативной памяти, но при этом за каждый разряд байта или слова отвечает своя запоминающая матрица, которая, чаще всего, находится в отдельной микросхеме.

Для записи информации в конкретную ячейку микросхемы предназначен всего один вывод. Когда на шине адреса установится нужный адрес ячейки памяти, то, хотя сигнал записи будет подан на все ячейки, запись произойдет только в ту ячейку, которая будет в данный момент выбрана (адресована).

Рисунок 12. Схема ячейки памяти КМОП-микросхемы

Принцип записи и чтения ячеек памяти в запоминающей матрице хорошо иллюстрируется на примере ферритовой памяти (рис. 14). На заре компьютерной эры она представляла собой небольшие ферритовые колечки, находящиеся в узелках проволочной сетки. Чтобы сформировать сигнал чтения и записи, через все колечки продевался отдельный провод. Заметим, что для записи "1" и "0" использовалось свойство ферромагнетиков перемагничи-ваться под действием электрического тока. Самые маленькие ферритовые колечки были диаметром всего около 1 мм. С появлением полупроводниковых микросхем памяти о ферритовой памяти надолго забыли, но совсем недавно появились микросхемы FeRAM, в которых сочетается кремниевая технология производства микросхем и свойство ферромагнитных материалов изменять свое сопротивление в зависимости от приложенного магнитного поля.

Процессоры имеют шину данных, кратную 8 разрядам, например, 8, 16, 32 или 64. В старых персональных компьютерах электронная память собиралась из микросхем, имеющих, например 64, 128, 256 и т. д. ячеек. На системных платах персональных компьютеров IBM PC можно было увидеть ряды микросхем памяти, занимающих там слишком много места. Чтобы уменьшить количество микросхем и упростить их электрические соединения друг с другом, на одном кремниевом кристалле стали создавать несколько отдельных матриц запоминающих ячеек. Наиболее популярными оказались варианты, когда микросхема памяти имеет разрядность равную 4 и 8, что позволило уменьшить количество корпусов на плате.

Рисунок 13

В документации и прайс-листах на микросхемы памяти всегда указывается не только общий ее объем, но и как организованы ячейки памяти. Например, ниже приводятся строчки из прайс-листа на микросхемы динамической памяти DDR и SDRAM:

· DDR 256Mb, 32Мх8, 266MHz;

· DDR 128Mb, 1бМх8, 266MHz;

· SDRAM 256Mb, 32Mx8, 133MHz;

· SDRAM 128Mb, 16Mx8, 133MHz.

Рисунок 14. Принцип записи и чтения ячеек памяти в запоминающей матрице

Заметьте, что в начале идет условное обозначения типа микросхемы, а в конце указывается максимальная тактовая частота шины, на которой они могут работать. Объем памяти в микросхеме указывается в двух вариантах: 256Mb -- общее количество ячеек памяти в микросхеме; 32Мх8 -- это обозначение показывает, что на каждый разряд приходится по 32 Мбайт (также используется термин "глубина адресного пространства", от англ, address depth). Если умножить 32 Мбайт на 8, то получается 256 Мбайт